Помимо спецификаций высококлассного процессора, находящегося в совместной разработке Samsung и Qualcomm, раскрылись подробности о еще одном чипсете.
На прошлой неделе компании Qualcomm и Samsung официально объявили о совместной работе над Snapdragon 835. Стало известно, что в его основе лежит 10-нм техпроцесс FinFET, а первые смартфоны, оборудованные новым процессором, появятся в начале 2017 года. Остальные спецификации не разглашались.
Опубликованные сегодня детали раскрыли, что чипсет под модельным номером MSM 8998, замеченный месяц назад в сервисе Zauba, был Snapdragon 835, а не Snapdragon 830, как предполагалось ранее. Сообщается, что в процессоре будет использоваться усовершенствованная 64-битная архитектура с восемью вычислительными ядрами Kryo 200, четыре из которых будут производительными, а четыре — энергоэффективными. Частота пока неизвестна.
Также будет использоваться графический контроллер Adreno 540, который должен обеспечить улучшенное качество графики. Чип оснащается модемом LTE X16 с поддержкой LTE Cat.16 со скоростью скачивания до 1 Гбит/с. Кроме того, Snapdragon 835 будет поддерживать четырехканальный модуль LPDDR4X-1866 и UFS 2.1.
Помимо подробностей о Snapdragon 835, изображение раскрывает характеристики Snapdragon 660 с максимальной рабочей частотой 2,2 ГГц, построенного на основе 14-нм техпроцесса FinFET LPP. За графику здесь отвечает ускоритель Adreno 512. Чип использует модем LTE X10, поддерживает двухканальный модуль LPDDR4X-1866 и UFS 2.1.
Процессор Snapdragon 835 появится в смартфонах уже в первом квартале 2017 года, а его дебют может состояться во флагмане Galaxy S8 на выставке MWC 2017. Чипсет Snapdragon 660 будет применяться в устройствах от OPPO и Vivo.
(Пока оценок нет)
