Модуль оперативной памяти на 8 ГБ анонсировала компания SK Hynix.
Компания Samsung анонсировала 8 ГБ LPDDR4 для смартфонов и планшетов несколько месяцев назад. По слухам, бренд не планирует использовать разработку в предстоящем флагмане и считает 6 ГБ достаточным объемом. Теперь еще один южнокорейский производитель SK Hynix представил модуль памяти на 8 ГБ типа LPDDR4, который подойдет для смартфонов, планшетов и персональных компьютеров.
Модуль содержит четыре чипа DRAM на 2 ГБ со средней частотой 3733 МГц. Это немного меньше, чем в варианте Samsung, где тактовая частота составляет 4266 МГц. Пропускная способность модуля памяти от SK Hynix равняется 29,8 ГБ/с.
В отличие от чипа Samsung, который использует 10-нм технологический процесс, модуль SK Hynix построен на 21-нм техпроцессе, но при этом он совместим со смартфонами. Он также поддерживает работу с флеш-памятью UFS NAND, его номинальное напряжение — 1,8/1,1 В. Сейчас осуществляются поставки как раз этой версии. Также существует вариант с более распространенным напряжение в 0,6 В, который отличает низким потреблением энергии и будет поставляться в первом квартале 2017 года под номером H9HKNNNFBMMUDR-NMH.
Напомним, что SK Hynix является вторым в мире по величине производителем чипов после Samsung и пятым по величине производителем полупроводников. Полное название компании — Hyundai Electronics, а слияние с SK Group породило SK Hynix. Поставка продукции осуществляется многим компаниям, начиная от Apple, ASUS, IBM, Dell и заканчивая Hewlett-Packard.
