Процессор не только станет мощнее, но и будет экономнее расходовать энергию, а также обеспечивать быструю и безопасную зарядку мобильного устройства.
Компании Samsung Electronics и Qualcomm Technologies объявили о расширении стратегического сотрудничества и совместной разработки чипсета Snapdragon 835.
Напомним, что в прошлом месяце южнокорейский производитель начал массовое производство первой в мире однокристальной системы на основе 10-нм техпроцесса FinFET, которая и будет использоваться в предстоящем процессоре. Сообщается, что новая технология обеспечивает повышение удельной эффективности поверхности на 30%, прирост производительности на 27% и более экономное энергопотребление на 40% по сравнению с 14-нм техпроцессом. Это позволит уменьшить размеры чипсета Snapdragon 835 и освободить пространство внутри корпуса, которые мобильные бренды смогут использовать для более емких аккумуляторов и других компонентов.
Отдельно внимание производители уделяют быстрой зарядке, так как данная функция имеет важное значение для пользователя при выборе смартфона. Технология Quick Charge 4.0 станет быстрее на 20% и эффективнее на 30%, чем предшественник. При разработке проводились тестирования с батареей на 2750 мАч, в рамках которых подзарядка на 5 часов использования требовала 5 минут, а на 50% мобильное устройство заряжалось всего за 15 минут.
Кроме того, предусматривается четырехуровневая защита от перегрева и автоматическое определение наиболее подходящего режима зарядки для конкретных температурных условий.
Компании пообещали, что первые смартфоны на базе Snapdragon 835 появятся в первой половине 2017 года. Скорее всего, одним из них станет флагман Samsung Galaxy S8.
(Пока оценок нет)
