Компания TSMC опубликовала квартальный отчет, где раскрыла планы о выпуске 3-нм микросхем под названием N3.
Согласно представленной информации, рисковое производство микросхем с размером техпроцесса 3-нм начнется в 2021 году, а серийный запуск произойдет во второй половине 2022 года. В качестве транзисторов, компания выбрала FinFET, аргументируя это как проверенную технологию, которая обеспечивает ценовое преимущество и высокую производительность.
Относительно плотности — на N3 помещается до 300 миллионов транзисторов на 1 кв. мм, что в 1,7 раза больше, чем в 5-нм техпроцессе N5. Быстродействие N3 будет на 10-15% выше, чем у N5 при том же энергопотреблении. Если уменьшить производительность N3 до уровня N5, то энергоэффективность вырастет до 30%.
(Пока оценок нет)
